外延生長的基本參數(shù)之一是基片溫度，對于基片與薄膜材料之間，都有一個臨界外延溫度，高于此溫度的外延生長是良好的，而低于此溫度的外延生長則是不完善的。此外，生長速率R與基片溫度T有關。   

如吸附原子在與另一個原子碰撞結合之前能進人穩(wěn)定的平衡位置，外延便能順利進行.顯然基片溫度升高會促進外延生長，它使表面原子具有更多的機會到達平衡位置，使表面擴散和體擴散都增強，結晶過程變得較容易進行.從而促進了單晶薄膜的生長。

基片的晶體結構對于外延薄膜的結構及取向有著十分重要的影響，同質外延時兩者的結構是一樣的，異質外延時兩者的結構也密切相關。異質外延時常用失配度來描述基片結構與薄膜結構的關系。